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　　这是当前制约该技术大规模产业化的重要因素之一。公司在异质结与钙钛矿光伏领域布局了丰富的产品线，包括OMHT系列超高迁移率靶材、TCOM系列无铟靶材、ITO系列靶材、IZO靶材、NiOx靶材、RPD/PED用ICO、IWO颗粒靶材以及铜互连工艺用种子层、粘附阻挡层靶材等。其中，无铟靶材的开发尤其值得关注，一代产品叠加高效靶可实现降本16.76%，二代产品预期降本幅度更大，可达33.52%，电池降效也将低于0.05%。

　　投产后将形成高纯无氧铜锭与高纯钴锭的自主供应能力，构建 靶材 + 高纯材料 双增长曲线，一方面依托现有高纯材料技术积累完善 高纯材料 - 溅射靶材 一体化产业链布局，保障下游靶材业务的供应链安全与产品质量稳定性；另一方面高纯材料产品可作为独立品类对外销售，打造新的盈利增长点 。其中超高纯无氧铜锭可实现9.9999%（6N级别）纯度、氧含量低于3ppm的自主生产。三、日月光控股（ASX）—— 26年业绩超预期

　　LEAP 服务翻倍增长，成为核心增长引擎。公司预计 2026 年 LEAP 服务收入将从 2025 年的 16 亿美元翻倍至 32 亿美元，增幅达到 100%，占 ATM（Assembly, Test, Materials）业务比重将从 13% 提升至约 25%。这一增长目标的背后，是 AI 芯片封装需求的爆发式增长。摩根大通研究显示，2026-2027 年台积电 CoWoS 技术需求将超过产能 20-30%，而日月光作为台积电的核心合作伙伴，预计将占据台积电溢出需求的 70-80%。

　　日月光正积极扩张 CoWoS 相关产能，楠梓厂区的 CoWoS 月产能将从现有的 8000 片提升至 1.5 万片，增幅达到 87.5%。更重要的是，公司预计到 2026 年底将拥有 1.5-2 万片 / 月的全流程 2.5D 封装产能，较目前的产能实现翻倍以上增长。中坜厂区还将引入应用材料最新一代 TSV 刻蚀机与高精度检测系统，预计 2026 年 Q2 实现量产，可满足英伟达、AMD 等头部客户的高端芯片封装需求。

　　作为 CoWoS 的替代方案，日月光的 FOCoS（Fan-Out Chip on Substrate）平台展现出独特优势：带宽密度提升 30%，成本降低 20%，预计 2026 年下半年进入量产。公司计划将 FOCoS 产能从 2025 年的 5000 片 / 月提升至 2026 年底的 15000 片 / 月，增幅达 200%。这一技术路线的成功将为日月光在 AI 芯片封装市场提供更多元化的竞争优势。客户结构优质，深度绑定 AI 巨头。日月光的先进封装客户涵盖全球顶级 AI 芯片企业：英伟达（通过矽品 SPIL 深度合作）、AMD（Venice 服务器 CPU、MI 系列 GPU）、博通（Tomahawk 网络芯片）、亚马逊 AWS（Trainium AI 加速器）等。特别是在 AMD 业务上，双方自 2007 年开始合作开发 2.5D 中介层等先进封装技术，建立了深厚的技术合作关系。